STR Group

eng

Modeling of Crystal Growth and Devices

CVD OF SI-BASED
CVD of SiGe

Консалтинг > CVD of Si-based

Мы располагаем развитыми средствами моделирования, позволяющими проанализировать:
   - образование, рост и транспорт частиц, генерируемых в газовой фазе;
   - кинетику роста в рамках квази-термодинамического подхода;
   - тепло- и массоперенос в условиях ламинарного и турбулентного течений;
   - легирование и самолегирование в процессе роста;
   - рост в реакторах разнообразных модификаций в 1D, 2D и 3D приближении.
 
С помощью моделирования CVD процесса можно решить следующие задачи:
   - предсказать однородность толщины пленки и состава соединения;
   - найти зависимости скорости роста от условий роста и геометрии реактора;
   - избежать или значительно снизить потерю прекурсоров из-за конверсии газа в частицу;
   - уменьшить деформацию скольжения пластины.

SITE SEARCH:  

Subscribe to STR Newsletter

Download free Software DEMO Versions and Documentation

© STR 2018. All rights reserved.