STR Group

eng

Modeling of Crystal Growth and Devices

Консалтинг
PVT Growth
CVD of Si-based
CVD of III-Vs
Growth from Melt
Device Modeling

Мы предлагаем широкий спектр услуг в области моделирования процессов роста кристаллов и эпитаксии полупроводниковых материалов, разработки приборов на их основе, оптимизации производственных процессов и модернизации оборудования. Наши консалтинговые возможности охватывают процессы осаждения из газовой (PVT) и паровой фазы (CVD), включая Сименс-процесс осаждения кремния, выращивание кристаллов из расплава, моделирование электронных, оптоэлектронных приборов, солнечных ячеек и т.п.

Приборное моделирование


Моделирование полупроводниковых приборов нового поколения на основе нитридов III группы – светодиодов, лазерных диодов, биполярных транзисторов (HBT), транзисторов с высокой подвижностью электронов (HEMTs), диодов Шоттки, ячеек солнечных элементов и др.
 
Приборное моделирование.


Моделирование методом химического осаждения


Моделирование эпитаксии, включая металлорганическую газофазную эпитаксию соединений на основе нитридов галлия и индия и нитрида алюминия (MOVPE), металлорганическую газофазную эпитаксию арсенидов и фосфидов (MOCVD), хлоридно-гидридную газофазную эпитаксию нитридов III группы (HVPE), эпитаксию карбида кремния и кремния.

CVD of Si-based

CVD of III-Vs


Моделирование роста объемных кристаллов


Моделирование роста кристаллов из расплава.
Накоплен богатый опыт по оптимизации оборудования и технологических параметров при выращивании объемных кристаллов из расплава по методам Чохральского, Бриджмена-Стокбаргера, Киропулоса, зонной плавки и прямой направленной кристаллизации.

Сублимационный рост.
Рост кристаллов широкозонных полупроводников включает разработку и применение современных моделей сублимационного роста карбида кремния (SiC), нитрида алюминия (AlN) и нитрида галлия (GaN) и других вюрцитных материалов
 

SITE SEARCH:  

Subscribe to STR Newsletter
here

Download free Software DEMO Versions and Documentation
here

© STR 2017. All rights reserved.