STR Group

eng

Modeling of Crystal Growth and Devices

Продукты
SimuLED (LED&LD)
CGSim (melt)
CVDSim (epi)
PolySim (Siemens)
Virtual Reactor
SiLENSe (LED&LD)
SpeCLED (LED)
RATRO (LED)
BESST (III-N SLs)
FETIS (HEMTs)
PVcell
STREEM AlGaN
STREEM InGaN
Консалтинг
PVT Growth
CVD of Si-based
CVD of III-Vs
Growth from Melt
Device Modeling

13.12.2017   Выпущен очередной релиз симулятора роста кристаллов CGSim 18.1.

Среди новых возможностей, предоставляемых программным продуктом, можно выделить новую химическую модель для роста кристаллов кремния, учет поверхностной кинетики в химической модели предыдущего поколения и возможность пользовательской настройки реакций на горячих поверхностях.
В химической модели в росте кристаллов карбида кремния из раствора также предусмотрен учет поверхностной кинетики на границе расплава и затравки, а также расплава и графитового тигля.
Повышена стабильность работы расчетной части программного продукта и графического интерфейса пользователя. В модуле течения пользователям предлагается новый графический интерфейс; кроме этого, появилась возможность использовать потоки концентраций, рассчитанные базовым модулем, в граничных условиях.

05.09.2017   Вышла версия SiLENSe 5.12
Новые опции:
  • В режим расчета «Series Calculation for SpeCLED» добавлена автоматическая генерация отдельного файла для импорта в SpeCLED;
  • Устранено несколько ошибок в отношении полуполярной ориентации.
Детали см в Примечаниях к выпуску.
30.06.2017   Вышла новая версия программы HEpiGaNS 7.7.
Основные изменения по сравнению с версией 7.6:
Добавлены модели эпитаксиального роста двойных и тройных соединений арсенидов и фосфидов третьей группы.
13.03.2017   Вышла новая версия программы Virtual Reactor 7.6.

Основные изменения по сравнению с версией 7.5:

  • Представлена новая редакция Virtual Reactor: VR-CVD Si для моделирования эпитаксиального роста кремния методом химического газофазного осаждения (CVD)
  • В HEpiGaNS добавлена модель эпитаксиального роста кристаллов оксида галлия β-Ga2O3 методом МОС-гидридной эпитаксии (MOVPE)
  • В VR-CVD SiC добавлены модели легирования азотом и нуклеации кремниевых частиц, учитывающие наличие хлор-содержащих компонент в газовой смеси
  • В VR-PVT SiC добавлена возможность анализа формирования различных политипов карбида кремния при росте объемных кристаллов сублимационным методом
  • В VR-PVT SiC включена новая модель оценки полного давления внутри графитового тигля при росте объемных кристаллов карбида кремния
04.07.2016   вышла версия SiLENSe 5.11
Новые опции:
  • Уточнено вычисление интегральных характеристик (таких как IQE, плотность тока утечки и др.), в таблицу добавлен расчет 2D концентрации носителей в активной области. Новая версия SiLENSe позволяет экспортировать в SpeCLED дополнительные данные для анализа боковой диффузии носителей и поверхностной рекомбинации на боковых стенках чипа (соответствующая версия появится в скором будущем в SpeCLED);
  • Внесены другие небольшие усовершенствования. Детали см в Примечаниях к выпуску.
22.06.2016   вышла версия CGSim 16.1, Симулятор роста кристаллов.

Новые опции:

  • Моделирование образования, эволюции и кластеризации собственных дефектов, включая формирование преципитатов кислорода, в стационарном и нестационарном приближении, в том числе расчеты с переменной скоростью вытягивания кристалла;
  • Ускорены расчёты лучистого теплопереноса в нестационарном приближении;
  • Расширена модель транспорта примесей при росте кристаллов кремния за счет добавления кинетических ограничений на свободной поверхности расплава;
  • Новый алгоритм автоматической генерации позиций кристалла в процессе роста в установке Чохральского существенно сокращает время расчета;
  • Значительно ускорена загрузка больших файлов в программу для визуализации результатов;
  • Улучшена стабильность работы солвера программы и солвера пользовательского интерфейса.
01.06.2016   вышла версия Virtual Reactor 7.5

Ключевые модификации программы включают:

  • Добавление модели роста объемных кристаллов β-Ga2O3 методом HVPE, добавление модели паразитного осаждения при росте кристаллов ZnS и ZnSe методом CVD;
  • Уточнение модели автоматического выделения блоков поликристаллического депозита в VR-PVT SiC, VR-PVT AlN, VR-CVD SiC и HEpiGaNS.
15.01.2016   вышла версия SiLENSe 5.10
Новые опции:
  • Расчеты в лазерной версии значительно улучшены за счет добавления скорости рекомбинации в дрейфо-диффузионную модель;
  • Улучшена сходимость PL-вычислений.
13.11.2015   вышла версия STREEM-AlGaN Edition 1.2
Основное изменение состоит в улучшении моделирования нуклеации дислокаций.
 
STREEM AlGaN – специализированное программное обеспечение для самосогласованного моделирования эволюции напряжений и прогиба, а также динамики дислокаций при росте и охлаждении (0001) гетероструктур на основе AlGaN методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD)
05.11.2015   05.11.2015 вышла версия STREEM-InGaN Edition 2.0
Основные изменения в версии 2.0:
- слои AlInGaN теперь можно рассматривать в активной области;
- добавлена модель аннигиляции проникающих дислокаций.
 
STREEM InGaN – специализированное программное обеспечение для моделирования свойств приборных гетероструктур на основе нитридов III Группы, выращиваемых методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD), с учетом поверхностной сегрегации индия и релаксации напряжений.
 
Программное обеспечение предназначено для понимания и контроля свойств выращиваемых структур путем варьирования параметров процесса.

SITE SEARCH:  

Subscribe to STR Newsletter

Download free Software DEMO Versions and Documentation

© STR 2018. All rights reserved.