STR Group

eng

Modeling of Crystal Growth and Devices

Продукты
SimuLED (LED&LD)
CGSim (melt)
CVDSim (epi)
PolySim (Siemens)
Virtual Reactor
SiLENSe (LED&LD)
SpeCLED (LED)
RATRO (LED)
BESST (III-N SLs)
FETIS (HEMTs)
PVcell
STREEM AlGaN
STREEM InGaN
Консалтинг
PVT Growth
CVD of Si-based
CVD of III-Vs
Growth from Melt
Device Modeling

22.02.2018   Выпущена новая версия PolySim и PolySim3D.
Основные изменения:
 
  • Более понятное взаимодействие и обмен данными между PolySim и PolySim 3D. Специфические параметры такие как "Boundary layer Deviation", "Average gas velocity along the rods", "Correction of the gas bulk temperature" теперь рассчитываются автоматически в PolySim 3D.
  • PolySim 3D теперь может сохранять постановку задачи и результаты в XML формат, который можно открыть в PolySim 1D или Excel/Calc.
  • Сделаны некоторые улучшения алгоритма генерации сетки.
  • Добавлена возможность задавать наклонные струи (под углом к вертикали).
  • Доступен новый параллельный алгоритм генерации полиэдральных ячеек.
  • Вставлено большое количество проверок, которые не дают пользователю вводить некорректные значения и/или предупреждают его об ошибках.
  • Появилось возможность использования локальной лицензии. В этом случае не нужен отдельный сервер лицензий. Вариант сетевой лицензии также остаётся доступен.
  • Различные мелкие улучшения и исправления.
13.12.2017   Выпущен очередной релиз симулятора роста кристаллов CGSim 18.1.

Среди новых возможностей, предоставляемых программным продуктом, можно выделить новую химическую модель для роста кристаллов кремния, учет поверхностной кинетики в химической модели предыдущего поколения и возможность пользовательской настройки реакций на горячих поверхностях.
В химической модели в росте кристаллов карбида кремния из раствора также предусмотрен учет поверхностной кинетики на границе расплава и затравки, а также расплава и графитового тигля.
Повышена стабильность работы расчетной части программного продукта и графического интерфейса пользователя. В модуле течения пользователям предлагается новый графический интерфейс; кроме этого, появилась возможность использовать потоки концентраций, рассчитанные базовым модулем, в граничных условиях.

05.09.2017   Вышла версия SiLENSe 5.12
Новые опции:
  • В режим расчета «Series Calculation for SpeCLED» добавлена автоматическая генерация отдельного файла для импорта в SpeCLED;
  • Устранено несколько ошибок в отношении полуполярной ориентации.
Детали см в Примечаниях к выпуску.
30.06.2017   Вышла новая версия программы HEpiGaNS 7.7.
Основные изменения по сравнению с версией 7.6:
Добавлены модели эпитаксиального роста двойных и тройных соединений арсенидов и фосфидов третьей группы.
13.03.2017   Вышла новая версия программы Virtual Reactor 7.6.

Основные изменения по сравнению с версией 7.5:

  • Представлена новая редакция Virtual Reactor: VR-CVD Si для моделирования эпитаксиального роста кремния методом химического газофазного осаждения (CVD)
  • В HEpiGaNS добавлена модель эпитаксиального роста кристаллов оксида галлия β-Ga2O3 методом МОС-гидридной эпитаксии (MOVPE)
  • В VR-CVD SiC добавлены модели легирования азотом и нуклеации кремниевых частиц, учитывающие наличие хлор-содержащих компонент в газовой смеси
  • В VR-PVT SiC добавлена возможность анализа формирования различных политипов карбида кремния при росте объемных кристаллов сублимационным методом
  • В VR-PVT SiC включена новая модель оценки полного давления внутри графитового тигля при росте объемных кристаллов карбида кремния
04.07.2016   вышла версия SiLENSe 5.11
Новые опции:
  • Уточнено вычисление интегральных характеристик (таких как IQE, плотность тока утечки и др.), в таблицу добавлен расчет 2D концентрации носителей в активной области. Новая версия SiLENSe позволяет экспортировать в SpeCLED дополнительные данные для анализа боковой диффузии носителей и поверхностной рекомбинации на боковых стенках чипа (соответствующая версия появится в скором будущем в SpeCLED);
  • Внесены другие небольшие усовершенствования. Детали см в Примечаниях к выпуску.
22.06.2016   вышла версия CGSim 16.1, Симулятор роста кристаллов.

Новые опции:

  • Моделирование образования, эволюции и кластеризации собственных дефектов, включая формирование преципитатов кислорода, в стационарном и нестационарном приближении, в том числе расчеты с переменной скоростью вытягивания кристалла;
  • Ускорены расчёты лучистого теплопереноса в нестационарном приближении;
  • Расширена модель транспорта примесей при росте кристаллов кремния за счет добавления кинетических ограничений на свободной поверхности расплава;
  • Новый алгоритм автоматической генерации позиций кристалла в процессе роста в установке Чохральского существенно сокращает время расчета;
  • Значительно ускорена загрузка больших файлов в программу для визуализации результатов;
  • Улучшена стабильность работы солвера программы и солвера пользовательского интерфейса.
01.06.2016   вышла версия Virtual Reactor 7.5

Ключевые модификации программы включают:

  • Добавление модели роста объемных кристаллов β-Ga2O3 методом HVPE, добавление модели паразитного осаждения при росте кристаллов ZnS и ZnSe методом CVD;
  • Уточнение модели автоматического выделения блоков поликристаллического депозита в VR-PVT SiC, VR-PVT AlN, VR-CVD SiC и HEpiGaNS.
15.01.2016   вышла версия SiLENSe 5.10
Новые опции:
  • Расчеты в лазерной версии значительно улучшены за счет добавления скорости рекомбинации в дрейфо-диффузионную модель;
  • Улучшена сходимость PL-вычислений.
13.11.2015   вышла версия STREEM-AlGaN Edition 1.2
Основное изменение состоит в улучшении моделирования нуклеации дислокаций.
 
STREEM AlGaN – специализированное программное обеспечение для самосогласованного моделирования эволюции напряжений и прогиба, а также динамики дислокаций при росте и охлаждении (0001) гетероструктур на основе AlGaN методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD)
05.11.2015   05.11.2015 вышла версия STREEM-InGaN Edition 2.0
Основные изменения в версии 2.0:
- слои AlInGaN теперь можно рассматривать в активной области;
- добавлена модель аннигиляции проникающих дислокаций.
 
STREEM InGaN – специализированное программное обеспечение для моделирования свойств приборных гетероструктур на основе нитридов III Группы, выращиваемых методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD), с учетом поверхностной сегрегации индия и релаксации напряжений.
 
Программное обеспечение предназначено для понимания и контроля свойств выращиваемых структур путем варьирования параметров процесса.

SITE SEARCH:  

Subscribe to STR Newsletter

Download free Software DEMO Versions and Documentation

© STR 2018. All rights reserved.