STR Group

eng

Modeling of Crystal Growth and Devices

Продукты
SimuLED (LED&LD)
CGSim (melt)
CVDSim (epi)
PolySim (Siemens)
Virtual Reactor
SiLENSe (LED&LD)
SpeCLED (LED)
RATRO (LED)
BESST (III-N SLs)
FETIS (HEMTs)
PVcell
STREEM AlGaN
STREEM InGaN
Консалтинг
PVT Growth
CVD of Si-based
CVD of III-Vs
Growth from Melt
Device Modeling

05.09.2017   вышла версия SiLENSe 5.12
Новые опции:
  • В режим расчета «Series Calculation for SpeCLED» добавлена автоматическая генерация отдельного файла для импорта в SpeCLED;
  • Устранено несколько ошибок в отношении полуполярной ориентации.
Детали см в Примечаниях к выпуску.
04.07.2016   вышла версия SiLENSe 5.11
Новые опции:
  • - Уточнено вычисление интегральных характеристик (таких как IQE, плотность тока утечки и др.), в таблицу добавлен расчет 2D концентрации носителей в активной области. Новая версия SiLENSe позволяет экспортировать в SpeCLED дополнительные данные для анализа боковой диффузии носителей и поверхностной рекомбинации на боковых стенках чипа (соответствующая версия появится в скором будущем в SpeCLED);
  • Внесены другие небольшие усовершенствования. Детали см в Примечаниях к выпуску.
22.06.2016   вышла версия CGSim 16.1, Симулятор роста кристаллов.

Новые опции:

  • Моделирование образования, эволюции и кластеризации собственных дефектов, включая формирование преципитатов кислорода, в стационарном и нестационарном приближении, в том числе расчеты с переменной скоростью вытягивания кристалла;
  • Ускорены расчёты лучистого теплопереноса в нестационарном приближении;
  • Расширена модель транспорта примесей при росте кристаллов кремния за счет добавления кинетических ограничений на свободной поверхности расплава;
  • Новый алгоритм автоматической генерации позиций кристалла в процессе роста в установке Чохральского существенно сокращает время расчета;
  • Значительно ускорена загрузка больших файлов в программу для визуализации результатов;
  • Улучшена стабильность работы солвера программы и солвера пользовательского интерфейса.
01.06.2016   вышла версия Virtual Reactor 7.5

Ключевые модификации программы включают:

  • Добавление модели роста объемных кристаллов β-Ga2O3 методом HVPE, добавление модели паразитного осаждения при росте кристаллов ZnS и ZnSe методом CVD;
  • Уточнение модели автоматического выделения блоков поликристаллического депозита в VR-PVT SiC, VR-PVT AlN, VR-CVD SiC и HEpiGaNS.
15.01.2016   вышла версия SiLENSe 5.10
Новые опции:
  • Расчеты в лазерной версии значительно улучшены за счет добавления скорости рекомбинации в дрейфо-диффузионную модель;
  • Улучшена сходимость PL-вычислений.
13.11.2015   вышла версия STREEM-AlGaN Edition 1.2
Основное изменение состоит в улучшении моделирования нуклеации дислокаций.
 
STREEM AlGaN – специализированное программное обеспечение для самосогласованного моделирования эволюции напряжений и прогиба, а также динамики дислокаций при росте и охлаждении (0001) гетероструктур на основе AlGaN методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD)
05.11.2015   05.11.2015 вышла версия STREEM-InGaN Edition 2.0
Основные изменения в версии 2.0:
- слои AlInGaN теперь можно рассматривать в активной области;
- добавлена модель аннигиляции проникающих дислокаций.
 
STREEM InGaN – специализированное программное обеспечение для моделирования свойств приборных гетероструктур на основе нитридов III Группы, выращиваемых методом МОС-гидридной эпитаксии (MOCVD), с учетом поверхностной сегрегации индия и релаксации напряжений.
 
Программное обеспечение предназначено для понимания и контроля свойств выращиваемых структур путем варьирования параметров процесса.

SITE SEARCH:  

Subscribe to STR Newsletter

Download free Software DEMO Versions and Documentation

© STR 2017. All rights reserved.